鎳靶材是電子與半導(dǎo)體工業(yè)中不可或缺的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。在物理氣相沉積（PVD）工藝中，鎳靶作為濺射源，其高純度的原子被轟擊后沉積在晶圓或基板上，形成各種關(guān)鍵的導(dǎo)電、導(dǎo)磁或阻擋層薄膜。隨著集成電路制程持續(xù)微縮和新型顯示技術(shù)的演進，鎳及其合金靶材因具有優(yōu)異的導(dǎo)電性、良好的熱穩(wěn)定性以及與硅工藝的優(yōu)良兼容性，其重要性日益凸顯，特別是在先進互連、磁傳感器和微機電系統(tǒng)等領(lǐng)域扮演著核心角色。
一、 定義與材質(zhì)
定義：電子與半導(dǎo)體工業(yè)用鎳靶材，指用于磁控濺射等PVD鍍膜工藝，以高純度鎳或鎳基合金為主要成分的固態(tài)濺射源材料。在高真空腔體內(nèi)，其表面受高能粒子（如氬離子）轟擊，鎳原子被濺射并沉積在硅片、玻璃基板等襯底上，形成滿足特定電學(xué)、磁學(xué)或機械性能的功能性薄膜。
主要材質(zhì)：
根據(jù)具體應(yīng)用場景的嚴(yán)苛要求，主要分為以下幾類：
高純鎳靶材：這是半導(dǎo)體領(lǐng)域最基礎(chǔ)的材質(zhì)，純度要求極高。根據(jù)中國最新國家標(biāo)準(zhǔn) GB/T 44759-2024，其純度等級分為4N (99.99%)、4N5 (99.995%) 和5N (99.999%)。其中，應(yīng)用于65納米以下先進制程的靶材，純度需達(dá)到5N及以上。
鎳鉑合金靶材：這是一種重要的高端合金靶材，在半導(dǎo)體制造中用于關(guān)鍵界面層。其發(fā)展趨勢是追求更高的純度和更精確的微觀組織調(diào)控。
鎳基合金靶材：為滿足特定功能而開發(fā)。例如，鎳鐵合金（如Ni??Fe??，即坡莫合金）因其高磁導(dǎo)率、低矯頑力等軟磁特性，被廣泛用于磁性存儲和傳感器領(lǐng)域。此外，還有鎳鉻、鎳釩等合金靶材。
二、 關(guān)鍵性能特點
該領(lǐng)域?qū)︽嚢胁牡囊髽O為嚴(yán)苛，核心在于保障最終芯片或器件的性能、良率和可靠性。
超高純度：純度是決定薄膜電學(xué)性能和器件可靠性的第一要素。微量的雜質(zhì)（如堿金屬、過渡金屬）會充當(dāng)載流子散射中心或電荷陷阱，導(dǎo)致薄膜電阻率升高、器件漏電增加甚至失效。因此，先進制程要求將多種雜質(zhì)元素的總含量控制在10ppm以下。
精細(xì)可控的微觀組織：
晶粒尺寸與均勻性：靶材需要具備細(xì)小、均勻的等軸晶粒。國家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定平均晶粒尺寸應(yīng)≤100微米，且最大晶粒不超過平均值的2倍。均勻的晶粒結(jié)構(gòu)能保證濺射時原子濺射速率一致，從而獲得厚度和成分均勻的薄膜。
晶粒取向（織構(gòu)）：對于某些應(yīng)用（如磁性薄膜），需要靶材具有特定的晶體取向，以誘導(dǎo)沉積薄膜形成所需的織構(gòu)，從而優(yōu)化其磁學(xué)或電學(xué)性能。
優(yōu)異的焊接質(zhì)量與界面完整性：鎳靶材通常需要與無氧銅背板通過釬焊等方式牢固結(jié)合。焊合率必須≥95%，且需通過100%的超聲波探傷，以確保在高功率濺射過程中熱量能夠高效導(dǎo)出，防止靶材因熱應(yīng)力開裂或脫落。
極佳的表面質(zhì)量與清潔度：靶材表面粗糙度需極低（Ra≤0.8μm），且在整個生產(chǎn)、包裝和運輸過程中需在超凈環(huán)境下進行，以防止污染。最終產(chǎn)品需采用雙層真空防潮袋在百級潔凈室中封裝。
三、 主要執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
電子與半導(dǎo)體工業(yè)用鎳靶材的生產(chǎn)和驗收遵循嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)體系。
核心國家標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 44759-2024 《高純鎳靶材》 是最具權(quán)威性和針對性的標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)于2024年10月發(fā)布，2025年5月1日正式實施，由寧波江豐電子等國內(nèi)龍頭企業(yè)牽頭起草，全面規(guī)范了產(chǎn)品的化學(xué)成分、物理性能、檢驗規(guī)則及包裝運輸要求。
行業(yè)與企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)：在實際應(yīng)用中，下游頂尖的芯片制造廠（Foundry）或顯示面板制造商通常會提出比通用國標(biāo)更為嚴(yán)苛的定制化技術(shù)協(xié)議，對靶材的特定雜質(zhì)含量、微觀組織結(jié)構(gòu)、綁定后形變等指標(biāo)進行極限規(guī)定，以滿足其獨家工藝需求。
四、 加工工藝、關(guān)鍵技術(shù)及流程
高品質(zhì)鎳靶材的制造是冶金、壓力加工和精密制造技術(shù)的集大成者，核心在于實現(xiàn)“高純、致密、均勻、無缺陷”。
1. 核心加工流程：
高純鎳原料提純 → 熔煉鑄造（真空感應(yīng)熔煉/電子束熔煉）→ 鍛造/熱軋開坯 → 多道次冷軋與中間退火 → 熱處理（再結(jié)晶退火以獲得均勻晶粒）→ 精密機械加工（切割、銑平）→ 背板焊接（關(guān)鍵步驟） → 精密加工至最終尺寸與表面拋光 → 超凈清洗與真空包裝。
2. 關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié)：
超高純原料制備技術(shù)：采用電解精煉、區(qū)域熔煉等方法，將鎳的純度從99.9%提升至99.999%甚至更高，并嚴(yán)格控制特定有害雜質(zhì)。
微觀組織均勻性調(diào)控技術(shù)：通過精密的熱機械加工（控制鍛造/軋制溫度、變形量）和熱處理工藝，精確調(diào)控最終靶材的晶粒尺寸、形狀和取向分布，以滿足不同應(yīng)用的薄膜沉積需求。
無缺陷焊接技術(shù)：靶材與背板的焊接是行業(yè)公認(rèn)的技術(shù)壁壘。需采用特種釬料和高精度焊接工藝，確保焊接界面無空洞、結(jié)合強度高（剪切強度≥50MPa）、熱導(dǎo)率優(yōu)異，并通過嚴(yán)格的超聲檢測。
潔凈加工與全過程污染控制：從原料處理到最終包裝，所有工序都需在嚴(yán)格控制的潔凈環(huán)境中進行，最大限度防止氧、碳、顆粒等污染物引入。
五、 具體應(yīng)用領(lǐng)域
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 具體功能與作用 | 技術(shù)要求與工藝特點 |
| 集成電路制造 | 1. 互連導(dǎo)線與接觸層：作為局部互連或接觸孔填充材料，利用鎳的較低電阻和良好的硅化物形成能力。
2. 阻擋層/粘附層：鎳合金薄膜可用于阻止上下層材料（如銅與介質(zhì)）之間的相互擴散，并增強附著力。
3. 硅化物形成：鎳與硅反應(yīng)形成低電阻的鎳硅化物，用于晶體管的源、漏、柵極接觸，降低接觸電阻。 | 對純度要求最高（5N及以上），薄膜均勻性、界面反應(yīng)可控性是關(guān)鍵。需與化學(xué)機械拋光等后續(xù)工藝兼容。 |
| 平板顯示器 | 薄膜晶體管陣列中的電極與布線：用作TFT的源/漏電極、柵極或數(shù)據(jù)/掃描線，替代部分鋁或鉬，以追求更低的電阻和更好的可靠性。 | 要求靶材大尺寸化（適配G8.6及以上世代線）、高均勻性、高性價比。鍍膜工藝需保證在大面積玻璃基板上的均一性。 |
| 磁性存儲 | 1. 硬盤讀寫磁頭：使用鎳鐵合金靶（如Ni??Fe??或更高Fe含量的合金）濺射制備磁頭芯片中的軟磁芯，要求高磁導(dǎo)率、低矯頑力以滿足高速讀寫需求。
2. 磁記錄介質(zhì)底層：鎳基合金薄膜可作為磁記錄層的種子層，誘導(dǎo)上層鈷鉻鉑合金形成垂直磁各向異性，提升存儲密度。 | 核心在于薄膜的磁學(xué)性能精確可控。靶材成分的精確性、薄膜的織構(gòu)和微觀結(jié)構(gòu)是技術(shù)焦點。 |
| 微機電系統(tǒng)與電子元件 | 1. 微結(jié)構(gòu)成型：通過電鍍或濺射鎳來制造MEMS器件中的微齒輪、彈簧、懸臂梁等機械結(jié)構(gòu)，利用其良好的機械強度和電學(xué)性能。
2. 薄膜電阻與電感：鎳鉻等合金薄膜用于制備高精度、高穩(wěn)定性的薄膜無源元件。
3. 封裝與凸點：用于芯片封裝中的凸點下金屬化層或電磁屏蔽層。 | 注重薄膜的應(yīng)力控制、良好的臺階覆蓋能力以及與硅、玻璃等襯底的附著力。工藝需與MEMS體加工或表面加工技術(shù)兼容。 |
六、 與其他領(lǐng)域用鎳靶材的對比分析
| 對比維度 | 電子與半導(dǎo)體工業(yè) | 功能與防護涂層 | 能源領(lǐng)域 | 裝飾性鍍膜 | 其他磁性應(yīng)用 |
| 核心要求 | 電學(xué)/磁學(xué)性能與可靠性：極致純度、納米級缺陷控制、原子級均勻性。 | 表面機械/化學(xué)性能：高硬度、耐磨、耐腐蝕、結(jié)合力強。 | 電化學(xué)活性/穩(wěn)定性：高比容量、長循環(huán)壽命、界面穩(wěn)定（如電池）。 | 外觀美學(xué)：顏色、光澤、仿古效果、成本。 | 體磁學(xué)性能：高飽和磁化強度、特定矯頑力（如磁流體、永磁體）。 |
| 典型材質(zhì)與純度 | 高純鎳（4N-5N+）、鎳鉑、精密鎳鐵合金。 | 純鎳、鎳磷合金、鎳基復(fù)合涂層，純度要求較低（2N-3N）。 | 鎳粉、多孔鎳、鎳鈷合金，純度要求中高（3N-4N）。 | 普通純鎳或簡單合金，純度要求最低。 | 鎳粉、鎳鐵合金、鐵鎳硼等，純度要求中等。 |
| 產(chǎn)品形態(tài) | 高精度平面或旋轉(zhuǎn)靶，尺寸與晶圓或基板匹配（如12英寸圓形靶）。 | 靶材或電鍍陽極，形態(tài)多樣。 | 粉末、泡沫、箔材、靶材，形態(tài)依器件而定。 | 電鍍陽極或小型濺射靶，形態(tài)靈活。 | 微納米粉末、帶材、磁粉芯。 |
| 技術(shù)焦點 | 原子級雜質(zhì)控制、超細(xì)晶粒與織構(gòu)調(diào)控、超潔凈綁定與加工、客戶端漫長認(rèn)證。 | 涂層相結(jié)構(gòu)設(shè)計、反應(yīng)濺射工藝、耐磨/腐蝕壽命。 | 材料比表面積調(diào)控、孔隙結(jié)構(gòu)設(shè)計、集流體界面優(yōu)化。 | 電鍍/濺射工藝色彩控制、大規(guī)模生產(chǎn)穩(wěn)定性。 | 磁粉粒度與形貌控制、絕緣包覆技術(shù)、磁路設(shè)計。 |
| 市場與認(rèn)證 | 技術(shù)壁壘最高，市場高度集中，認(rèn)證周期極長（2-3年），國產(chǎn)化正加速突破。 | 技術(shù)門檻適中，市場分散，認(rèn)證相對簡單。 | 技術(shù)門檻高，認(rèn)證側(cè)重于安全與長周期性能測試。 | 門檻低，市場完全競爭，高度國產(chǎn)化。 | 門檻中等，市場專業(yè)化程度高。 |
七、 未來發(fā)展新領(lǐng)域與方向
適配先進制程與新材料體系：
隨著集成電路進入3納米及以下節(jié)點，互連線的電阻-電容延遲成為瓶頸。開發(fā)更低電阻率、更高熱穩(wěn)定性以及與新型低K/超低K介質(zhì)兼容的新型鎳基合金阻擋層/粘附層靶材是關(guān)鍵方向。
面向第三代半導(dǎo)體（如碳化硅、氮化鎵）功率器件，開發(fā)適配高溫、高功率工況的高性能鎳基歐姆接觸靶材。
滿足新型顯示與傳感技術(shù)需求：
柔性O(shè)LED、Micro-LED 等新型顯示技術(shù)對TFT背板的電學(xué)性能、均勻性和柔性提出新要求，需要開發(fā)低電阻、低應(yīng)力、可彎曲的鎳基電極薄膜及相應(yīng)靶材。
在物聯(lián)網(wǎng)和人工智能驅(qū)動下，高靈敏度磁傳感器、生物傳感器需求激增，推動用于制備非晶、多層膜或特殊納米結(jié)構(gòu)磁性薄膜的高端鎳鐵合金靶材發(fā)展。
綠色制造與產(chǎn)業(yè)鏈安全：
循環(huán)經(jīng)濟與資源再生：建立從半導(dǎo)體制造廢料、廢舊靶材中高效回收并提純鎳、鈷、鉑等戰(zhàn)略金屬的閉環(huán)技術(shù)體系，對成本控制和供應(yīng)鏈安全至關(guān)重要。
全產(chǎn)業(yè)鏈自主可控：在實現(xiàn)4N-5N高純鎳靶材量產(chǎn)的基礎(chǔ)上，向上游超高純鎳原料（6N及以上） 冶煉技術(shù)延伸，向下游與設(shè)備商、晶圓廠進行“產(chǎn)學(xué)研用”協(xié)同創(chuàng)新，是構(gòu)建安全、韌性產(chǎn)業(yè)生態(tài)的核心戰(zhàn)略。
總而言之，電子與半導(dǎo)體工業(yè)用鎳靶材的發(fā)展，是信息技術(shù)進步在基礎(chǔ)材料層面的直接映射。其未來將緊密圍繞 “更純、更精、更穩(wěn)、更綠” 的方向演進，不僅服務(wù)于現(xiàn)有技術(shù)的持續(xù)微縮，更將為突破性的器件架構(gòu)和系統(tǒng)集成提供不可或缺的材料基石。
