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鉻靶材涂層制備工藝對成分及組織結構的影響

發布時間:2020-01-08 12:58:03 瀏覽次數 :

引言

物理氣相沉積(簡稱PⅥ))技術制備的過渡族金屬氮化物涂層在硬度、耐磨、耐蝕及抗高溫氧化性等各方面各具特色,對材料表面起到很好的機械及化學保護作用,已在刀具、模具、耐磨和耐高溫等領域取得了很好的應用。其中,CrAIN涂層因具有比TiAlN等涂層更優異的的抗高溫氧化性能而受到了廣泛的關注。在高溫抗氧化應用領域,CrAlN涂層是傳統CrN、TiAIN涂層良好的替代品。

鉻靶

目前CrAIN涂層的制備工藝主要有磁控濺射、陰極電弧技術、脈沖激光等方法,其中陰極電弧技術由于其離化率高等特點,在工程上的應用最為廣泛。制備涂層采用的靶材也有CrAI合金靶或者cr靶、Al靶純金屬靶兩種。目前有一些關于制備工藝一成分一組織結構的研究,但缺乏系統的研究。

本文在用鉻靶、A1靶純金屬靶制備出不同成分的CrAlN涂層并系統研究Cr-A1-N涂層制各工藝對涂層成分及組織結構的影響。

1、實驗方法

實驗所選用的基體材料為經過常規熱處理的M2高速鋼(HRC 64~66),其主要合金元素的質量分數(%)如下:C 0.80~0.90,Mn 0.15~0.40,Si 0.20~0.45,Cr 3.80~4.40,Mo 4.50~5.50,V 1.75~2.20和w 5.50~6.75。不同成分的crl。AlxN涂層的制備在配備多重轉動工件盤的多弧離子鍍設備上完成,安裝了2個純cr靶、2個Al靶和2個Ti靶,各靶在鍍膜設備上的具體安裝方式見圖1。所有電弧靶的直徑均為95ram,靶基距為160mm。基體經過打磨拋光,然后進行嚴格的清洗處理后入爐,抽真空至極限真空度8.0×10。Pa后,在600~700V高偏壓下,開啟各多弧靶輪流轟擊清洗基片。然后通入高純的N2(99.999%)矛H Ar(99.999%)混合氣體,使工作氣壓達到3.0×10。1Pa,首先在基體上沉積一層TiN結合層,然后進行沉積Crl.。AlxN涂層,crl-xA.1xN涂層中A1含量通過cr靶、Al靶的各自電流大小來控制。沉積過程中,基體偏壓為80V,占空比保持50%不變,基體(真空室的平均溫度)溫度為300℃,沉積時間均為90min,涂層厚度約2.5p.m。

采用EVO MA 10型掃描電鏡觀察涂層表面形貌。采用EVO MA 10型掃描電鏡的附件能譜儀測定涂層的成分。采用X Pert MPD Philips型X射線衍射儀分析涂層物相結構。

2、實驗結果與討論

2.1 靶電流比IAl,Ic,對涂層成分的影響

不同工藝制備的CLl.xAlxN涂層的成分結果如表1所示。作出涂層中Al在金屬元素中的所占原子百分比隨靶電流比IAl,Ic,的變化關系圖如圖2所示。 

由圖2可見,采用cr、A1純金屬靶制各的CrAIN涂層中,Al在金屬元素中的相對原子含量隨靶電流比IAl/ICr幾乎呈線性增加,且均在0~0.70之間。隨著靶電流比IAl/ICr的增加,Al靶濺射出的Al粒子相對增多,從而涂層中的A1的相對含量增多。

2.2 涂層XRD物相結構分析

圖3為不同Al含量crl-xAlxN涂層的XRD圖譜。從圖中可以看出,沒有出現密排六方結構的hcp.AIN的衍射峰,而只有面心立方結構的fcc.CrN的衍射峰,且其主峰的取向晶面為(11 1),(200),(220)晶面。說明Crl。AlxN涂層取CrN的面心立方結構生長。隨著Al含量的增加,fcc-CrN相的衍射峰均向右偏移。根據布拉格公式:2dsin0--nA,,可知隨著Al含量的增加,晶格常數減小。經計算得到Crl.xAlxN的晶格常數隨Al含量的變化關系,如圖4所示。目前普遍認為,晶胞晶格常數的變小是由于面心立方結構的CrN中的部分Cr原子被Al原子取代而引起的,由晶體學的原理可知,物質內部的原子都是不斷在其平衡位置附近振動的,其振動受到周圍環境的影響。當(Cr,A1)N中Al原子含量增加時,由于l'Al<rcr (r為原子半徑),在原子力的作用下,面心立方晶胞內各原子的振動都發生改變,即各原子振動的平衡位置向里偏移,而且各原子向降低晶格常數方向出現的幾率增大,Al含量越大,這種改變越明顯,以減少體系的能量。這種變化的結果導致了統計意義上的晶格常數的改變,即隨著Al含量的增加,晶格常數減小。

此外,隨著Al含量的增加,晶體生長擇優取向由(200)晶面轉向(11 1)晶面。這種改變晶面擇優取向的變化規律可以用能量最小化理論【l孓1 7J來解釋。涂層能量最小化理論認為涂層總能量由界面能、表面能和彈性應變能組成,體系一旦選定,界面能受沉積條件影響較小。在低應力情況下,彈性應變能較小,表面能決定涂層的總能量,此時表面能較小的晶面擇優生長。當涂層有較大應力時,彈性應變能就成為涂層總能量的決定因素,應變能最小的晶面就會擇優生長。隨著涂層中Al含量的提高,膜層畸變增大,膜層應力增大,涂層將向高指數晶面擇優生長以使得涂層的總能量最小。

2.3 涂層的表面形貌

圖5所示為Cro 74Alo 26N(a)年lJ Cro 41 AIo 59N(b)涂層的SEM表面形貌圖。可以看出,兩種涂層表面均存在大小不一的大顆粒,這是電弧離子鍍的特性。隨著Al含量從X=0.26增加到0.59,涂層表面的大顆粒尺寸和數量均增多。通過圖片分析軟件,可以深入了解涂層中大顆粒尺寸分布比例隨涂層中Al含量的變化關系,如圖6所示。從圖中可以看出,隨著涂層中Al含量從X=0.26增加到0.59,涂層中尺寸大于或等于2.0Pm的大顆粒數量比例從5.2%增加到8.9%,尺寸小于或等于0.5Pm的顆粒數量比例從27.6%減小到 7.2%。

大量研究表明在電弧離子鍍膜過程中,靶材表面的電流分布并不是均勻一致的,在陰極斑點處具有極高的電流密度。當增大靶電流時,也相應的增大了陰極斑點處的電流密度,使得斑點處具有更高的溫度,從而使得靶材產生更多數量、尺寸更大的融滴,沉積到涂層中便形成了大顆粒。

3、結論

1)隨著Al靶、cr靶電流之比IA川cr的增大,Crl.xAlxN涂層中Al含量增多。適當控制靶電流比值,可以控制crl.xAlxN中鋁金屬比值在0.15--一0.6的范圍內。

2)所制備Crl.xAlxN涂層晶體結構均呈現面心立方結構fee.CrN生長,fec-CrN相的衍射峰均向右偏移,且隨著Al含量增加,衍射峰偏移的角度越大,晶格常數越小。隨著Al含量的增加,晶體生長擇優取向由(200)晶面轉向(111)晶面。

3)所制備Crl.。AI。N涂層表面均存在大顆粒。且隨著Al含量的增加,尺寸大于或等于2.09m的大顆粒數量比例增多。

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